本发明公开了一类用于微波元器件及陶瓷电容器或温度补偿电容器的铌酸盐高频介电陶瓷，该陶瓷以(Ba#-[1-y]Sr#-[y])#-[7-x](La#-[s]Nd#-[t]Bi#-[u])#-[x]Ti#-[2+x]Nb#-[4-x]O#-[21]为主相，其中 0.00≤x≤3，0.00≤y≤1，s+t+u＝1，采用相应的方法制备，本陶瓷烧结良好，高频介电常数达到50～95，损耗低，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。