一种高介电常数Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷坯体，以190～350w/cm#+[2]的低功率密度在30～185s时间内对Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷坯体进行激光辐照预热；预热结束后，调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850～ 1405w/cm#+[2]，进行烧结；经过25～95s的烧结后，激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。