日前，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶瓷研究所博士生戴培赟在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功制备出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料，标志着西安交大在陶瓷研究方面获得重要进展。

 
　　物理气相传输法(HTPVT)是制备单晶碳化硅的常用方法，在材料学院碳化硅单晶材料研究的基础上，戴培赟在研究工作中进行了不同原料密度和烧结工艺的对比试验，建立了碳化硅多晶陶瓷的生长模型，并从热力学和动力学角度解释了碳化硅多晶生长的原理。此方法完全不同于现有的碳化硅陶瓷的制备工艺，获得的材料具有优异的性能，在军工、电子、机械等行业具有良好的应用前景，此技术已申请国家发明专利。

　　目前，戴培赟作为第一作者完成的《Fabrication of highly dense pure SiC ceramics via the HTPVT method》论文已被材料科学领域的国际权威杂志《Acta Materialia》接收，并准备发表。

　　该研究受到国家基金委项目、教育部博士点基金项目支持。